افزایش پهنای باند تقویت رامان در موجبرهای سیلیکون ژرمانیوم روی عایق
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز
- نویسنده مجتبی شهرکی
- استاد راهنما محمدرضا صالحی ابراهیم عبیری
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
یکی از پدیده های نوری که به شکل قدرتمندی در سیلیکون وجود دارد، پدیده پراکندگی رامان است. اندازه ضریب بهره رامان در سیلیکون هزاران برابر قدرتمندتر از سیلیکا است. این امر یک مزیت بزرگ برای سیلیکون به شمار می رود. اما متأسفانه پهنای باند بهره رامان در سیلیکون به حدود 100 گیگاهرتز محدود می شود. این امر نه تنها سبب محدود شدن آن در کاربردهایی با پهنای باند کم می شود، بلکه مانع از ایجاد تقویت کننده های باندپهن با استفاده از طرح های چند پمپی می گردد. اما چنانچه بتوان پهنای باند رامان را حتی به دو برابر مقدار کنونی آن افزایش داد، می توان به ساخت تقویت کننده های باند پهن امیدوار شد. یکی از ویژگی های سیلیکون، امکان ترکیب آن با دیگر نیمه هادی های گروه iv جهت بهبود مشخصات آن است. این امر در میکرو الکترونیک به صورت گسترده ای مورد استفاده قرار گرفته و در اپتیک نیز می تواند مفید باشد. اعمال ناخالصی ژرمانیوم سبب جابجایی فرکانس مرکزی بهره رامان در سیلیکون می گردد. بنابراین با استفاده از طرح های ترکیبی از سیلیکون ژرمانیوم که مقادیر مختلفی از ناخالصی دارند، می توان پهنای باند تقویت کننده را به میزان قابل قبولی افزایش داد. در این تحقیق ابتدا انواع تقویت کننده های رامان سیلیکونی مورد بررسی قرار گرفته و بهره آن ها در مدل های سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ مقایسه شده است. سپس موجبرهای سیلیکون ژرمانیومیِ متداول بررسی شده و با تعیین میزان انحصار نور در نواحی مختلف موجبر و همچنین تعیین بهره رامان در ناخالصی های مختلف ژرمانیوم، میزان بهره کلی رامان درون موجبر محاسبه شده است. دیگر عوامل موثر بر بهره کلی تقویت کننده میزان ضرایب جذب هستند، که برای ناخالصی های مختلف محاسبه شده است. پس از تعیین عوامل مختلف بر بهره تقویت کننده، با استفاده از طرح های ترکیبی از سیلیکون ژرمانیوم، بهره تقویت کننده به مقادیر قابل توجهی افزایش یافته است. قدرتمند بودن پدیده رامان در سیلیکون، آن را برای کاربردهای مختلف به ویژه پردازش اطلاعات، جذاب می سازد. در انتهای این تحقیق چند کاربرد برای تقویت کننده های رامان ارائه شده است. با افزایش پهنای باند تقویت کننده کاربردهای احتمالی این قطعات بیشتر نیز خواهد شد.
منابع مشابه
افزایش پهنای باند آنتن تشدیدی عایقی با بهره‌گیری از پهنای متغیر ساختار
در این مقاله ساختار آنتن تشدیدی عایقی مستطیلی، تغذیه شده توسط یک خط مایکرواستریپ بررسی و تکنیکهای بهبود رفتار آن مرور شده است. بدین منظور نحوه عملکرد تشعشعی آنتن عایقی مطالعه و روشهای مختلف بهبود آن و بطور خاص افزایش پهنای باند آن بررسی شده است. سپس ساختار جدیدی با هدف افزایش پهنای باند امپدانسی آن پیشنهاد شده است. در ساختار معرفی شده با بهره‌گیری از ساختاری یکپارچه ولی چندبخشی با ابعاد مختلف، ...
متن کاملیک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق
امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...
متن کاملیک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق
امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...
متن کاملطراحی تقویت کننده قدرت باند vhf با پهنای باند وسیع
امروزه استفاده از فرستنده های رادیویی نیمه هادی نیز همانند فرستنده های لامپی متداول بوده و حتی به دلیل برخی ویژگی های خاص مانند نویز کمتر، استفاده از منابع تغذیه با ولتاژ پایین تر و قابلیت نگهداری و تعمیر پذیری ساده تر در کاربردهای خاص، نسبت به فرستنده های لامپی ارجعیت دارند. یکی از اجزای اصلی فرستنده های رادیویی نیمه هادی، تقویت کننده های قدرت rf می باشند. پارامترهای مختلفی در تقویت کننده های ...
15 صفحه اولافزایش پهنای باند آنتن تشدیدی عایقی با بهره گیری از پهنای متغیر ساختار
در این مقاله ساختار آنتن تشدیدی عایقی مستطیلی، تغذیه شده توسط یک خط مایکرواستریپ بررسی و تکنیکهای بهبود رفتار آن مرور شده است. بدین منظور نحوه عملکرد تشعشعی آنتن عایقی مطالعه و روشهای مختلف بهبود آن و بطور خاص افزایش پهنای باند آن بررسی شده است. سپس ساختار جدیدی با هدف افزایش پهنای باند امپدانسی آن پیشنهاد شده است. در ساختار معرفی شده با بهره گیری از ساختاری یکپارچه ولی چندبخشی با ابعاد مختلف، ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023